ICGOO在线商城 > BSC072N03LD G
Datasheet下载- 型号： BSC072N03LD G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
BSC072N03LD G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC072N03LD G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSC072N03LD G价格参考以及InfineonBSC072N03LD G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSC072N03LD G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有BSC072N03LD G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 30V 20A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC072N03LD GOptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSC072N03LD_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8ed2a02db&fileId=db3a304316f66ee80116fb4baac2728e |
| 产品型号 | BSC072N03LD G |
| Pd-PowerDissipation | 1500 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 4 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3500pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） |
| 其它名称 | BSC072N03LD GDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 57W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A |
| 系列 | BSC072N03 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
| 零件号别名 | BSC072N03LDGATMA1 SP000359607 |
